科學(xué)儀器???實(shí)驗(yàn)方案???計(jì)量檢測(cè)?? 設(shè)備運(yùn)維
PHI nanoTOF II飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)
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http://m.youzaozao.com/instruments/surface/135-nanotof.html#sigProId2030368402
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- 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）是一種表面敏感的技術(shù)，提供表面分子，元素及其同位素前幾個(gè)原子層的組成圖像。所有元素和同位素，包括氫氣都可以用飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜分析。在理論上，該儀器可以在一個(gè)無(wú)限大的質(zhì)量范圍內(nèi)提供很高的質(zhì)量分辨率（在實(shí)踐中通常是大約10000amu）。
- PHI nanoTOF II飛行時(shí)間質(zhì)譜儀是一種高傳輸、并行檢測(cè)儀器，其目的是由主脈沖離子束轟擊樣品表面所產(chǎn)生的二次離子可以得到最佳的收集狀態(tài)，并可同時(shí)用于有機(jī)和無(wú)機(jī)表面特征分析。
- TRIFT分析儀的工作原理會(huì)把離子在光譜儀中不斷的重新聚焦。使二次離子質(zhì)譜允許更多重大的實(shí)驗(yàn)得以進(jìn)行。主離子束最先進(jìn)的設(shè)計(jì)，允許經(jīng)由計(jì)算機(jī)控制去同時(shí)達(dá)到高橫向分辨率的成像和高質(zhì)量的圖譜分辨率。
- PHI nanoTOF II是第六代SIMS儀器，該儀器具有獨(dú)特的專(zhuān)利時(shí)間飛行（TOF）分析儀，它擁有市場(chǎng)上TOF-SIMS儀器中最大的角度和能量接受標(biāo)準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)了高空間分辨率質(zhì)量分辨率和使用具有優(yōu)良離子傳輸能力的三重重點(diǎn)半球形靜電分析器。PHI nanoTOF II還具有很高的能力，可以圖像具有非常復(fù)雜的幾何形狀的樣本而沒(méi)有陰影。
- 廣大的收集角度和景深立體角：此優(yōu)點(diǎn)體現(xiàn)在上面的圖片。圖片可以清楚觀察到，由主離子束探測(cè)到的信號(hào)是從樣品所有部位收集來(lái)的。即使在彎曲的表面，如頭發(fā)，信號(hào)以統(tǒng)一強(qiáng)度來(lái)采集同時(shí)保持能力解決這樣的小特征，如個(gè)別毛干上的角質(zhì)層。
- 單束C60深度剖析：PHI C60離子的小光束直徑探針是獨(dú)特的，有利于特定的化學(xué)分子離子的微米級(jí)特征成像。此外，結(jié)合擴(kuò)展的配置范圍和經(jīng)單束C60深度剖析改進(jìn)的二次離子產(chǎn)量深讓分析師有獨(dú)特的有機(jī)深度剖析能力與最高靈敏度的二次離子結(jié)構(gòu)。
- 低背景和亞穩(wěn)抑制：下面數(shù)據(jù)說(shuō)明了TRIFT質(zhì)譜儀在亞穩(wěn)態(tài)拒絕 (Metastable Rejection) 的固有能力。一個(gè)比較Reflectron和TRIFT為基礎(chǔ)的分析儀所取得的聚（四氟乙烯）和（聚四氟乙烯）的質(zhì)譜顯示了在沒(méi)有減少二次離子信號(hào)下TRIFT分析儀優(yōu)秀的抗亞穩(wěn)態(tài)干擾能力。事實(shí)上，也增強(qiáng)了化學(xué)成像的能力，因?yàn)槎坞x子信號(hào)沒(méi)有迭加在非化學(xué)的背景信號(hào)上。
- 加熱和冷卻的完整5軸樣品運(yùn)行：完整的X，Y，Z軸旋轉(zhuǎn)和傾斜運(yùn)動(dòng)可同時(shí)把樣品加熱到（RT至+600oC）或冷卻（-130至+150oC）。加熱或冷卻工序在樣品引入，轉(zhuǎn)換，取樣時(shí)的溫度監(jiān)測(cè)和控制在沒(méi)有任何中斷的情況下完成。樣品臺(tái)提供X和Y軸+/-50毫米運(yùn)行范圍和1μm的分辨率和20毫米的Z軸行程和2微米的分辨率，同時(shí)保持優(yōu)于±2℃樣品溫度的控制。
- 雙束電荷中和的絕緣體分析：采用專(zhuān)利技術(shù)的nanoTOF的電荷中和采用了雙束的方法，非常低能量的離子束和電子束。由飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀器從一件表面安裝了碳磁帶的批量聚合物所獲得的數(shù)據(jù)。即使樣品是厚，奇形的絕緣體，使用雙光束電荷中和也可以得到高分辨率數(shù)據(jù)。
- 脈沖二次電子成像：nanoTOF的TRIFT分析儀的設(shè)計(jì)，是唯一能夠從絕緣和導(dǎo)電標(biāo)本收集脈沖 SE圖像的儀器。通過(guò)脈沖模式（質(zhì)譜操作）偏轉(zhuǎn)主離子生成的二次電子(相對(duì)較重的二次離子有較高的速度比) 到位于分析儀SED里面，同時(shí)通過(guò)雙重多通道板（DMCP）探測(cè)器。
- FIB - TOF三維材料特性：TRIFT分析儀的內(nèi)在特性可以通過(guò)成像FIB銑削坑的垂直型墻而不必傾斜樣品。因此，材料的全3D特性化在連續(xù)FIB銑削和TOF-SIMS采集周期是可能的，而其三維圖像重建也可以非常簡(jiǎn)單，因?yàn)闃颖驹贔IB銑削和TOF-SIMS數(shù)據(jù)采集期間是不需要移動(dòng)的。
- 原始文件的回溯性數(shù)據(jù)分析：用戶可以選擇四種不同的模式來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)解釋?zhuān)海?）總離子圖，（2）總面積譜，（3）區(qū)域性質(zhì)譜，（4）特定離子分布。
- 油漆和OLED材料： 油漆層和缺陷層內(nèi)的特征化，高質(zhì)量碎片特點(diǎn)化。
- 薄膜和涂料： 分析有機(jī)涂層，有機(jī)和無(wú)機(jī)涂料的成像分布。
- 無(wú)機(jī)及半導(dǎo)體設(shè)備： 晶圓工藝殘?jiān)?，缺陷分析，蝕刻/清潔殘留分析，微量金屬污染物留在晶圓工藝；三維成像表征摻雜元素。
- 磁存儲(chǔ)： 殘留物留在媒體的地表，來(lái)自于工藝的污染，包括有機(jī)和無(wú)機(jī)物，故障分析，潤(rùn)滑分析。
- 擁有控制藥物釋放涂料的藥物： 藥物截面成像，新的藥物釋放涂層的表征與發(fā)展。
- 組織橫截面分析：研究組織和細(xì)胞。
儀器性能和維護(hù)對(duì)于實(shí)驗(yàn)室的運(yùn)行來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，禹重為您提供培訓(xùn)、儀器服務(wù)計(jì)劃或按需維修服務(wù)，幫助您獲得準(zhǔn)確可靠的結(jié)果以及最長(zhǎng)的儀器正常運(yùn)行時(shí)間。我們很清楚保持儀器的最優(yōu)性能對(duì)提高您的生產(chǎn)力極為重要，因此，我們定能在您需要時(shí)為您排憂解難。
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